제조업체 제품 번호:
IPB09N03LA G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB09N03LA G-DG
설명:
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
상세 설명:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
재고:
12801310
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPB09N03LA G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 20µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1642 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
63W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB09N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP000068859
IPB09N03LAG
IPB09N03LAGXT
IPB09N03LA G-DG
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN4R3-30BL,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
9945
부품 번호
PSMN4R3-30BL,118-DG
단가
0.58
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN017-30BL,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
1868
부품 번호
PSMN017-30BL,118-DG
단가
0.37
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3